MOCVD造AlScN HEMT：新盖层材料SiNx取代GaN
德国和荷兰的研究人员已经使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来创建AlScN势垒高电子迁移率晶体管（HEMT）。该团队还使用氮化硅（SiNx）盖材料来代替更常见的氮化镓（GaN），据该团队所知该材料...
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标签：MOCVD
MBE MOCVD对比：锑化铟单晶浮区法如何提纯生长
一、锑化铟单晶的主要制备方法 A. 高温氛围熔炼法（浮区法） 原理与流程 浮区法（zone melting）是制备高纯度单晶的一种经典方法，其通过将样品局部加热到熔化状态，并沿着样品方向缓慢移动熔区，...
MBE与MOCVD：LED芯片制造的核心外延设备区别
2/14/2020， 不同于集成电路芯片制造最重要的工艺是光刻，对于发光二极管和各类半导体激光器的制造来说，最重要的工艺是外延生长，其最重要的设备是MOCVD。 半导体工艺的外延技术最早从液相外延开始...
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