德国和荷兰的研究人员已经使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来创建AlScN势垒高电子迁移率晶体管（HEMT）。该团队还使用氮化硅（SiNx）盖材料来代替更常见的氮化镓（GaN），据该团队所知该材料...