铜铟镓硒电池新制法 加层钠盐效率更高

本文提供了一种铜铟镓硒太阳能电池的制备方法。其步骤包括获取沉积第一电极膜的基板；在基板上形成一混合前驱体层，这种前驱体是由产物理想量比的IB族、ⅢA族和ⅣA族元素组成；在混合前驱体层上沉积一层含有钠盐的覆盖顶层；前驱体层与钠盐的覆盖顶层一起经过加热退火形成高质量IB-IIIA-VIA半导体吸收层。钠盐的覆盖顶层的加入一方面可防止金属元素及硒元素的流失，阻止有害不纯物质污染；另一方面可进一步完善多晶薄膜IB-ⅢA-ⅣA半导体吸收层结构，可应用于大面积光伏生产中的IB-IIIA-VIA半导体吸收层。

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【技术实现步骤摘要】

【专利摘要】本文提供了一种。其步骤包括获取沉积第一电极膜的基板；在基板上形成一混合前驱体层，这种前驱体是由产物理想量比的IB族、ⅢA族和ⅣA族元素组成；在混合前驱体层上沉积一层含有钠盐的覆盖顶层；前驱体层与钠盐的覆盖顶层一起经过加热退火形成高质量IB-IIIA-VIA半导体吸收层。钠盐的覆盖顶层的加入一方面可防止金属元素及硒元素的流失，阻止有害不纯物质污染；另一方面可进一步完善多晶薄膜IB-ⅢA-ⅣA半导体吸收层结构，可应用于大面积光伏生产中的IB-IIIA-VIA半导体吸收层。【专利说明】铜铟镓砸太阳能电池的制备方法

本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种IB-1IIA-VI族半导体化合物太阳能电池的制备方法，可用于薄膜光伏器件或太阳能电池吸收层的制造工艺。

技术介绍

铜铟二硒化物及其镓和硫取代的衍生物是属于直接帯隙半导体材料，简写为CuInxGahSe2S2_Y (其中O≤x≤1，0≤y≤2)或者CIS, CIGSe或者CIGSeS0这类化合物是属于IB-1IIA-VIA族材料，因其具有良好的光电性能，稳定性能和高的能量转换效率而被广泛应用于薄膜太阳能电池领域。

【技术保护点】

一种制作薄膜太阳能电池的方法与步骤，其特征包含：获取沉积一导电电极膜基板；在室温或者低温（

【技术特征摘要】

【专利技术属性】

技术研发人员：李晓常，

申请(专利权)人：江西冠能光电材料有限公司，

类型：发明

国别省市：

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